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E Series 紫外線硬化型研磨用保護膠帶

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各製程之膠帶用途

一般研磨
  • 標準
  • 極薄研磨(厚度>40μm)
  • 微錫球(含Ink)
  • 中錫球(高度<150μm)
  • 高錫球(高度<200μm)
DBG製程 / SDBG製程
  • 標準
  • DBG錫球
  • 高精度膠帶

晶圓經紫外線照射後可大幅降低膠帶的黏著力,以不施予晶圓壓力的狀況下進行膠帶剝離作業,適用產品有紫外線硬化型「E Series」、通用型「P Series」等款式膠帶,另提供離型用「S Series」剝離用膠帶供選擇使用。

Adwill E Series紫外線硬化型研磨用保護膠帶(UV Curable BG Tape),在研磨製程中可確實保護晶圓表面不受研磨液、研磨碎屑等浸入,防止晶圓表面污染的硬化型研磨用保護膠帶。


膠帶剝離時,以紫外線照射晶圓,降低其黏著力後,以不施予晶圓壓力的狀況下進行膠帶剝離作業,亦適用於大尺寸及薄型晶圓的加工處理。

 

標準型 (通用型)

  1. 元件的高可靠度
    移轉到晶圓表面的(微塵粒)非常少的關係,研磨製程後不需洗淨晶圓。
  2. 維持高品質潔淨度的生產體制
    黏著加工環境通過無塵室等級Class 100(美國聯邦規格 209b 標準)。

適用於薄型 ‧ 高錫球晶圓 (High Bump Wafer)

  1. 抑制研磨製程後晶圓翹曲,適用於高錫球晶圓(High Bump Wafer)
    賦予膠帶應力緩和性,可抑制膠帶殘留在晶圓上的應力造晶圓翹曲的問題。此外,因高錫球晶圓(High Bump Wafer)於研磨時的應力分散,避免晶圓破損與波紋等問題發生,提高研磨製程後晶圓的厚度精度。
  2. 提高晶圓的厚度精度(T.T.V.*)
    具優良的膠帶厚度精度,能確保研磨製程後晶圓的厚度精度。
    *T.T.V.= 總厚度變動 / Total Thickness Variation

適用於中型錫球晶圓 (Middle Bump Wafer)

  1. 優良的研磨能力
    晶圓最薄可研磨至150μm。
  2. 良好的錫球包覆性能及低殘膠特色

適用於蝕刻 (Wet Etching)

  1. 減少黏著劑殘留
  2. 易撕除,防止晶圓表面損傷
  3. 降低膠帶變形或變色風險