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【琳得科特輯】半導體相關事業革新-1

2026/07/14

琳得科集團將半導體相關事業定位為核心成長領域，積極投入研發經費，持續深化技術優勢，並提升未來的長期競爭力。

本期特輯將為您介紹用於 EUV*1曝光機的CNT*2光罩護膜（Pellicle）之最新研發與量產的進展。

*1 EUV：極紫外光  

*2 CNT：奈米碳管

加速CNT光罩護膜的研發與量產進度

光罩護膜是在半導體製造過程中，用來防止異物附著於光罩（電路圖案原版）上的防塵膜組件。

傳統上多採用多晶矽等材質，然而隨著近年尖端半導體微細電路微影製程對EUV曝光機性能要求的提升，

市場對於具備更高耐用性與可靠性的CNT製光罩護膜需求日益迫切。

本集團位於美國德州的研究開發據點負責CNT薄膜的開發，並在此基礎上展開了光罩護膜的研發。

於2023年確立關鍵技術後，

我們隨即與日本國立研究開發法人「產業技術綜合研究所（AIST）」的先端半導體研究中心展開共同研究，

致力於將該技術推向實際的社會與產業應用。

近日，琳得科於茨城縣的AIST筑波中央事業所內，

成立了全新的研發與生產據點—「筑波創新創造中心（Tsukuba Innovative Creation Center）」。

該據點已導入尖端半導體微細電路微影製程中不可或缺的CNT製光罩護膜之生產設備及相關配套設施。

未來，我們計畫先開始供應全尺寸的光罩護膜樣品，並分階段導入產品供應所需的檢查裝置與附屬設備。

本公司將根據客戶的樣品評估反饋，進一步加速產品開發與邁向正式量產的步伐。